-삼성전자(삼성)가 파운드리 분야 세계 1위 대만 TSMC에 앞서 3나노미터(3nm) 파운드리 공정을 활용한 제품 양산에 성공
-삼성은 이번 3nm 칩이 현재 5nm 칩에 비해 16% 더 작은 표면적, 45% 전력 사용량 감소 및 23% 성능 향상을 가능하게 하는 GAA(Gate All-Around) 트랜지스터 아키텍처를 사용하였다고 설명
-종전에 7nm와 5nm 공정 제품 양산에 TSMC에 뒤졌던 삼성은 이번 3nm 공정에서 한발 앞선 상황, 올 하반기에 3nm 칩을 양산할 것이며 2025년까지 2nm 칩 생산 계획을 밝힌 TSMC와의 고객 확보 경쟁은 더욱 치열해질 전망
